ZBTK-ის მიერ შემუშავებული მინის ჭრის ტექნოლოგია ტრადიციულ კონტაქტურ მექანიკურ ჭრასთან შედარებით გამოირჩევა დამუშავების დაქვეითებული ნაგავის მაჩვენებლით, სპეციალური ფორმის ხვრელების გაკეთების შესაძლებლობით, სწრაფი დამუშავების სიჩქარით, მაღალი სიზუსტით, კარგი სტაბილურობით, მოქნილი დამუშავების მეთოდით და ა.შ. ეს ტექნოლოგია შეუცვლელად შეძლებს ტრადიციული მინის დამუშავების ტექნოლოგიის ჩანაცვლებას და ფართოდ გამოიყენება პანელური მინის, საყოფაცხოვრებო ტექნიკის მინის, დისპლეის მინის, ოპტიკური მინის, ფოტოელექტრული მინის, ფოტოვოლტაიკური მინის და სხვა მინის ინდუსტრიებში.
Პროდუქტის პროდუქტის მერიტები
● ინტეგრირებული დიზაინი
Მაღალი ინტეგრაციის მქონე მაღალი კლასის ორგანზომილებიანი სკანირების გალვანომეტრული სკანერი, სიჩქარის დინამიური ფოკუსირების მოწყობილობა, ოპტიკური ლინზების ჯგუფის უკანა ფოკუსირების F-theta ველის სარკე და ა.შ., კომპაქტური და სტაბილური სტრუქტურა, ზუსტი ოპტიკური გზა, კარგად დახურული, გამორჩეული გარეგნობა, მოსახერხებელი მონტაჟი.
● მაღალი ეფექტურობა
Გამოიყენებს მაღალი სიჩქარის სკანირების გალვანომეტრს და დინამიურ ფოკუსირების მოწყობილობას მაღალი რეაგირების უზრუნველყოფით, განკუთვნილი პროგრამული უზრუნველყოფით მინის ჭრისთვის, რაც უზრუნველყოფს სწრაფ ჭრას და მაღალ დამუშავების ეფექტურობას.
● მაღალი стабილობა
Მეტალის საცავი დამაგრებული სტრუქტურა და მრავალსაფეხურიანი ხელშეუხებლობის დამცავი წრედი ხასიათდება ძლიერი ხელშეუხებლობის წინააღმდეგ წინააღმდეგობით.
● მაღალი სიზუსტე
Თანამედროვე ჩაკეტილი ციკლის PID ალგორითმი, 16-ბიტიანი კონტროლის გაფართოება, მაღალი კონტროლის სიზუსტე, ზუსტი დამუშავების ეფექტი.
● უმაღლესი გარემოს დაცვა
Ტრადიციულ წყლის ჭრის მეთოდთან შედარებით, ლაზერული 3D მინის ჭრა არ გამოიყოფს ნაგავ წყალს, ჭრის და მტვრის ნაწილაკების შეგროვება ხდება მარტივად, რაც ძალიან გარემოს დამცავია.
Პროდუქტის პარამეტრები | ||
Გამოყენებული ლაზერი |
Ბოჭკოვანი ოპტიკური ინფრაწითელი |
|
Შემომავალი ლაზერული ლაქა |
<4მმ |
|
Ნაღმის ზომა |
45 მმ |
|
Სურათის thiclcness |
<15მმ |
|
Დამხრი ზომა |
ნანოწამი ：≤300მკმ |
|
Გამოყენებული სახეობის მინები |
ცენტრი |
|
Გაშლადი ღერძი |
4-ღერძი |
|
Სკანირების კუთხე |
±0.35rad |
|
Ელექტროენერგიის მიწოდება |
±15V/10A |
|
Მუშაობის ტემპერატურა |
25±10(℃) |
|
Წონა (KG) |
4.9 |
|
|
||
6-ე სართული, B ბლოკი, ვანჰე ტექნოლოგიას შემოწმების შენობა, №7 ჰუიტონგ გზა, გუანგმინგის რაიონი, შენძენი, გუანგდონგის პროვინცია
Copyright © 2025 Shenzhen Zbtk Technology Co., Ltd. Პრივატულობის პოლიტიკა
EN
