Ფოკუსირების შემდგომი 3D სკანერი გამოიყენება მაღალი ხარისხის დამუშავების სფეროებში, როგორიცაა ლაზერული ზუსტი მარკირება, ლაზერული რელიეფი, ლაზერული ღრმა ნახატი, ლაზერული ჭრა, ლაზერული შედუღება და ა.შ. მრავალდონიან ზედაპირებზე, დახრილ ზედაპირებზე, ცილინდრულ ზედაპირებზე, სფერულ ზედაპირებზე და რთულ 3D მორფოლოგიურ ზედაპირებზე.
Პროდუქტის პროდუქტის მერიტები
● ინტეგრაცია
Მაღალი ინტეგრაციის მქონე მაღალი კლასის ორგანზომილებიანი სკანირების გალვანომეტრული სკანერით, სიჩქარის დინამიური ფოკუსირების მოწყობილობით, ოპტიკური ლინზების ჯგუფით, უკანა ფოკუსირების F-theta ველის სარკით და სხვა კომპონენტებით, რომლებიც ქმნიან კომპაქტურ და სტაბილურ სტრუქტურას, ზუსტ ოპტიკურ მიმდევრობას, კარგად დახურულ სივრცეს, გამოსავალ გარეგნობას და მოსახერხებელ მონტაჟს.
● მაღალი стабილობა
Დამუშავებულია საცხოვრებელი ეკრანირების სტრუქტურა და მრავალდონიანი ანტიშეუთი დამცავი წრე, რომელსაც აქვს ძლიერი ანთიშეუთი უნარი.
● მაღალი სიზუსტე
Გამოყენებულია თანამედროვე ჩაკეტილი ციკლის PID ალგორითმი, 16-ბიტიანი კონტროლის გაფართოება, მაღალი კონტროლის სიზუსტე და ზუსტი დამუშავების ეფექტი.
● მაღალი წრფივობა
Გამოყენებულია უნიკალური ლინეარული კომპენსაციის ტექნოლოგია, რომელსაც აქვს კარგი ლინეარულობა მთელ დიდ ფორმატის მარკირების დიაპაზონში.
● დაბალტემპერატურიანი გასუფთავება
Გამოყენებულია მაღალი სიზუსტის ფოტოელექტრული სენსორის ტექნოლოგია და თანამედროვე ტემპერატურული წანაცვლების ავტომატური კომპენსაციის ტექნოლოგია, რის შედეგადაც ადგილი აქვს მინიმალურ ნულოვან ტემპერატურულ წანაცვლებას, გაძლიერების ტემპერატურულ წანაცვლებას და გრძელვადიან სამუშაო ტემპერატურულ წანაცვლებას.
Პროდუქტის პარამეტრები | ||
Ლაზერის ტალღის სიგრძე |
355 ნმ / 532 ნმ / 1064 ნმ |
|
Შემომავალი ფირფიტის დიამეტრი |
6 მმ / 7 მმ |
|
Შეყვანის აპერტურა |
14მმ |
|
Სამუშაო სივრცე |
Ველის ობიექტივის არჩევანის მიხედვით |
|
Z-ღერძის ფოკუსური სიღრმე |
±30 მმ @F160 ველის ობიექტივი; ±40 მმ @F254 ველის ობიექტივი |
|
Შეცდომის დროის თანმხვედრობა |
0.2მ/წმ |
|
Მაქსიმალური პოზიციონირების სიჩქარე |
75 რად/წმ |
|
Განმეორებადობა (RMS) |
4 მკრად |
|
Გაძლიერების წონასწორობა |
50 მკმ/კ |
|
Ნულოვანი წონასწორობა |
30 ურად/კ |
|
8 საათში გრძელვადი გადახრა |
<0.1mrad |
|
Ძაბვის მომარაგების ბლოკი |
±15 ვოლტ მუდმივი დენი / 10 ამპერი |
|
Სიგნალის პროტოკოლი |
XY2-100 |
|
Ზომა |
230×108×116 მმ |
|
Წონა |
4,32 კგ |
|
Მუშაობის ტემპერატურა |
25°C ±10°C |
|
Შემადგენლითი ტემპერატურა |
–10°C ~ 60°C |
|
Შენახვის ტენიანობა |
≤75 % (არ კონდენსირება) |
|
|
||
6-ე სართული, B ბლოკი, ვანჰე ტექნოლოგიას შემოწმების შენობა, №7 ჰუიტონგ გზა, გუანგმინგის რაიონი, შენძენი, გუანგდონგის პროვინცია
Copyright © 2026 Shenzhen Zbtk Technology Co., Ltd. Კონფიდენციალურობის პოლიტიკა
EN
